A l’occasion du salon IEDM 2019, la division semi-conducteurs de Samsung a présenté une nouvelle technologie de gravure en 14 nm des capteurs CMOS. L’idée est d’optimiser la consommation d’énergie pour de futurs capteurs de 144 mégapixels.

La course au nombre de pixels sur les capteurs photo de smartphone n’est pas près de s’arrêter. Après les capteur de 48, 64 ou 108 mégapixels, Samsung a franchi un nouveau pas en dévoilant une nouvelle technologie pour des capteurs de 144 mégapixels lors du salon IEDM 2019 qui a eu lieu la semaine dernière à San Francisco.

Cette nouvelle technologie est baptisée 14nm FinFET et consiste en l’utilisation d’une gravure en 14 nm de la couche de transistors du capteur CMOS, contre 28 mm actuellement. Concrètement, cela permettrait donc d’avoir des composants plus petits au sein même du capteur, et donc une moindre perte d’énergie, même à taille de photosites égale.

Surtout, comme le précise le site Image Sensors World, repéré par GSM Arena, cela permettrait également une meilleure gestion de la consommation pour des capteurs avec un nombre très élevé de mégapixels : « le procédé 14 nm FinFET devrait réduire la consommation d’énergie de 42% dans le cadre de capteurs de 144 mégapixels ».

Pour l’heure, il ne s’agit encore que d’un projet sur lequel travaille la division semi-conducteurs de Samsung et rien n’indique qu’on pourra découvrir de sitôt des capteurs photo de 144 mégapixels. Néanmoins avec la course au nombre de mégapixels qui semble s’emparer de Samsung et Sony au profit des différents constructeurs de smartphones, on pourrait s’attendre à découvrir des capteurs aussi définis d’ici un an.

Sources

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